سامسونج تستعد لتقنية 2 نانومتر لشريحة Exynos 2600

أعلنت شركة سامسونج في وقت سابق من هذا الشهر أنها تستعد للإنتاج الضخم لأول شريحة Exynos بتقنية 3 نانومتر باستخدام تصميم Gate All Around (GAA). على الرغم من عدم تأكيد الشريحة المعنية، إلا أن الاحتمالات تشمل شريحة Exynos 2500 المخصصة لهاتف Galaxy S25 القادم أو شريحة Exynos W1000 المتوقعة مع ساعة Galaxy Watch7.

وفي نظرة إلى المستقبل، أفادت تقارير من ETNews أن سامسونج بدأت العمل على تطوير شريحة بتقنية 2 نانومتر، والتي ستعرف باسم Exynos 2600 وتحمل الاسم الرمزي Thetis. من المتوقع أن يبدأ الإنتاج الضخم لهذه الشريحة في النصف الثاني من عام 2025 لتكون جاهزة للاستخدام في هواتف Galaxy S26.

تشير بعض التقارير إلى أن شركة كوالكوم قد تلتزم بتقنية 4 نانومتر لشريحة Snapdragon 8 Gen 4، مما يمنح شريحة Exynos 2500 تفوقًا على مستوى أشباه الموصلات. ومع ذلك، تشير تقارير أخرى إلى أن شريحة Gen 4 ستستخدم تقنية 3 نانومتر الجديدة من TSMC (N3E). وقد أفادت تقارير بأن شركة أبل حصلت على 90% من قدرة التصنيع بتقنية 3 نانومتر من TSMC العام الماضي، ولكن قد تكون الطلبات قد تغيرت هذا العام.

وفي وقت لاحق من هذا العام، يدعي موقع إخباري تايواني أن شريحة Snapdragon 8 Gen 4 لهواتف Galaxy سيتم تصنيعها باستخدام تقنية 3 نانومتر GAA Plus (المعروفة أيضًا باسم GAP) من سامسونج بدءًا من عام 2025.

تعمل شركة TSMC أيضًا على تطوير تقنية 2 نانومتر، ولكن من المحتمل أن تكون مصانعها مشغولة بإنتاج الشرائح لهاتف iPhone 17 Pro وبعض أجهزة ماك. من المقرر أن تصدر سلسلة iPhone 17 في عام 2026، مما يشير إلى أننا سنشهد منافسة قوية بين أبل وسامسونج في مجال تقنية 2 نانومتر.